ФИАН

ФИАН на Всероссийской школе по лазерной физике и лазерным технологиям

В Сарове состоялась XVII Всероссийская школа по лазерной физике и лазерным технологиям Национального центра физики и математики (НЦФМ) и Института лазерно-физических исследований (ИЛФИ) РФЯЦ-ВНИИЭФ.

Более 60 начинающих исследователей приехали, чтобы получить представление о современных задачах, проблемах и достижениях лазерной физики и лазерных технологий, а также представить собственные идеи и проекты.

От Физического института им. П.Н. Лебедева РАН участие в школе приняли молодые ученые, сотрудники Отделения квантовой радиофизики им. Н.Г. Басова (ОКРФ ФИАН) кандидат физ.-мат. наук М.А. Ракитина и аспирант IV года М.В. Ионин. Мария Ракитина, научный сотрудник Сектора лазерно-плазменной физики высоких энергий ОКРФ ФИАН, представила доклад «Лазерное ускорение протонов коротким импульсом с энергией порядка 2 Дж из твердотельных мишеней». Максим Ионин, научный сотрудник Лаборатории фемтосекундной нелинейной оптики ОКРФ ФИАН, выступил с сообщением «Двухцветная» генерация разностной частоты излучения титан-сапфирового лазера в кристалле GaSe». Читать далее...

🇷🇺 ФИАН в MAX

#НовостиНауки

Направленный кулоновский взрыв при релятивистском самозахвате мощного лазерного импульса

Разработан новый механизм лазерного ускорения протонов из мишени околокритической плотности. С помощью проведенного трехмерного численного моделирования, получены практически значимые характеристики ускоренных протонов.

В сравнении с наиболее эффективным способом ускорения протонов при лазерном облучении ультратонких пленок изученный механизм демонстрирует возможность достижения такой же, или даже несколько превосходящей, рекордной энергии ускоренных частиц, не требуя при этом сверхвысокого контраста излучения.

Читать подробнее

---
#лазер #кулоновский_взрыв #протон #laser #proton

🇷🇺 ФИАН в MAX

⚡ В ФИАН научились создавать идеальную границу раздела ферромагнетик-антиферромагнетик

Полученные результаты открывают путь для создания высокоскоростных и энергоэффективных вычислительных устройств.

Учёные Физического института им. П.Н. Лебедева РАН продемонстрировали, как можно сформировать естественную, практически лишенную дефектов, ферромагнитно-упорядоченную границу раздела в слоистом антиферромагнитном кристалле EuSn₂As₂ (так называемом «Eu-122»). Исследователи вырастили монокристаллы «Eu-122» и показали, что образцы, синтезированные при высоких температурах, неизбежно содержат включения побочной фазы, возникающей вследствие переменной валентности атомов олова.

Рассказывает научный сотрудник Центра высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов им. В.Л. Гинзбурга ФИАН Алёна Левахова:

«Используя методы просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (ВР ПРЭМ) и прецизионной рентгеновской дифракции, мы впервые выявили наличие атомарно-тонких планарных дефектов вторичной фазы. Затем провели расчеты в рамках теории функционала плотности, чтобы определить формульную единицу планарного дефекта – EuSnAs2 («Eu-112») – и выяснить, как кубическая решетка этого соединения сопрягается с тригональной решеткой кристаллической матрицы «Eu-122». Читать далее...

🇷🇺 ФИАН в MAX